在7纳米及以下制程的芯片制造中，溅射靶材的纯度与微观结构直接影响薄膜质量与器件性能。我们采用电子束悬浮区熔炼技术，通过多道次熔炼将钽材纯度提升至99.995%，关键杂质元素钠、钾、铀、钍含量均控制在1ppb以下。

靶材制备采用热机械处理工艺：在1200℃进行多向锻造，累计变形量达80%，随后在1000℃真空退火2小时。该工艺使材料获得均匀的等轴晶组织，晶粒度稳定在50-100μm，晶向偏离度≤7°。经过处理的靶材在溅射过程中表现出优异的稳定性，薄膜电阻均匀性达到98.5%。

通过飞行时间二次离子质谱仪分析显示，优化工艺处理的靶材氧含量控制在15ppm以下，氮含量≤8ppm。在300mm晶圆溅射测试中，薄膜厚度偏差≤1.5%，缺陷密度降低至0.03个/cm²，完全满足先进制程要求。